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Numero di parte | STP80N20M5 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4329pF @ 50V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 30.5A, 10V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |