STP20N65M5

MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
STP20N65M5 P1
STP20N65M5 P2
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STMicroelectronics ~ STP20N65M5

Numero di parte
STP20N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STP20N65M5
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1345pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3

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