STL8N6F7

MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
STL8N6F7 P1
STL8N6F7 P1
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STMicroelectronics ~ STL8N6F7

Numero di parte
STL8N6F7
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STL8N6F7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN

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