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| Numero di parte | STH400N4F6-6 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 404nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20500pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 60A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | H²PAK |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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STH4 | Altech Corporation | HINGED STUD TERM M4 50A 600V 22- | - | 27510 | Dettagli |
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STH400N4F6-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 | - | 0 | Dettagli |
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STH400N4F6-6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 | - | 0 | Dettagli |
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STH410N4F7-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 | - | 0 | Dettagli |
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STH410N4F7-6AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 | - | 0 | Dettagli |
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STH4DT | Altech Corporation | CONN TERM BLK FEED THRU 8-22AWG | - | 9742 | Dettagli |
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STH4DTSH | Altech Corporation | HINGED STUD TERM M4 35A DUAL TER | - | 7350 | Dettagli |