STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
STE70NM60 P1
STE70NM60 P1
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STMicroelectronics ~ STE70NM60

Numero di parte
STE70NM60
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STE70NM60
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7300pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
Pacchetto / caso ISOTOP

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