STE60N105DK5

ISOTOP PARALL.
STE60N105DK5 P1
STE60N105DK5 P1
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STMicroelectronics ~ STE60N105DK5

Numero di parte
STE60N105DK5
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
ISOTOP PARALL.
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STE60N105DK5
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 204nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6675pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 680W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC

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