STE139N65M5

N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
STE139N65M5 P1
STE139N65M5 P1
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STMicroelectronics ~ STE139N65M5

Numero di parte
STE139N65M5
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- STE139N65M5 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STE139N65M5
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 363nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15600pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 672W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 65A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP
Pacchetto / caso ISOTOP

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