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| Numero di parte | STD11N60M2-EP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 595 mOhm @ 3.75A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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STD110N02RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 32A DPAK | - | 6437 | Dettagli |
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STD110N02RT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 32A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD110N8F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 80A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD110NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD11N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 8A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD11N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., | - | 0 | Dettagli |
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STD11N60M2-EP | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., | - | 0 | Dettagli |
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STD11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 9A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD11NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 9A DPAK | 0 | Dettagli | |
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STD11NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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STD11NM60N-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK | - | 0 | Dettagli |