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| Numero di parte | STB60NF10-1 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 40A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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STB60100CTR | SMC Diode Solutions | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB60N55F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB60NE06L-16T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB60NF06LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | - | 1000 | Dettagli |
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STB60NF06T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK | - | 2000 | Dettagli |
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STB60NF10-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK | - | 691 | Dettagli |
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STB60NF10T4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | - | 1000 | Dettagli |
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STB60NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB6N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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STB6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V D2PAK | - | 1000 | Dettagli |
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STB6N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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STB6N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V D2PAK | - | 0 | Dettagli |