ESM2012DV

TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
ESM2012DV P1
ESM2012DV P1
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STMicroelectronics ~ ESM2012DV

Numero di parte
ESM2012DV
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
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Numero di parte ESM2012DV
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 120A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1A, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1200 @ 100A, 5V
Potenza - Max 175W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso ISOTOP
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®

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