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| Numero di parte | RV3C002UNT2CL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | VML0604 |
| Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RV3C002UNT2CL | Rohm Semiconductor | NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML | 0 | Dettagli |