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| Numero di parte | RUS100N02TB |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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RUS100 | Ohmite | POT 100 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS100E | Ohmite | POT 100 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS100N02TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP | 0 | Dettagli | |
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RUS10R | Ohmite | POT 10 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS10RE | Ohmite | POT 10 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS12R5 | Ohmite | POT 12.5 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS12R5E | Ohmite | POT 12.5 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS16R | Ohmite | POT 16 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS16RE | Ohmite | POT 16 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS175 | Ohmite | POT 175 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS175E | Ohmite | POT 175 OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |
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RUS1K0 | Ohmite | POT 1K OHM 1000W WIREWOUND LIN | - | 0 | Dettagli |