RRS100P03TB1

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
RRS100P03TB1 P1
RRS100P03TB1 P1
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

Rohm Semiconductor ~ RRS100P03TB1

Numero di parte
RRS100P03TB1
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- RRS100P03TB1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte RRS100P03TB1
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Pacchetto / caso 8-SOIC

prodotti correlati

Tutti i prodotti