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| Numero di parte | RQ6E030ATTCR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91 mOhm @ 3A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT6 (SC-95) |
| Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ6E030ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3A TSMT | - | 0 | Dettagli |
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RQ6E035ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT | - | 0 | Dettagli |
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RQ6E045BNTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT | - | 0 | Dettagli |
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RQ6E050ATTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT | - | 0 | Dettagli |
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RQ6E055BNTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT | 0 | Dettagli | |
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RQ6E085BNTCR | Rohm Semiconductor | NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |