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| Numero di parte | RJU002N06T106 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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RJU002N06FRAT106 | Rohm Semiconductor | 2.5V DRIVE NCH MOSFET CORRESPON | - | 866581 | Dettagli |
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RJU002N06T106 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 | 18000 | Dettagli | |
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RJU003N03T106 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323 | 54000 | Dettagli |