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| Numero di parte | RJK1576DPA-00#J5A |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 12.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | WPAK(3F) (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RJK1575DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 150V WPAK | - | 0 | Dettagli |
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RJK1576DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 150V WPAK | - | 0 | Dettagli |