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Panasonic Electronic Components ~ SK8603190L

Numero di parte	SK8603190L
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1.01mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1092pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 8A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSO
Pacchetto / caso	8-PowerSMD, Flat Leads

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
SK8603140L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 25A 8HSO	-	0	Dettagli
SK8603150L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 26A 8HSO	-	2980	Dettagli
SK8603160L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 22A 8HSO	-	3000	Dettagli
SK8603170L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSO	-	0	Dettagli
SK8603180L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSO	-	0	Dettagli
SK8603190L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO	-	3000	Dettagli
SK86C M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	239056	Dettagli
SK86C R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	149546	Dettagli
SK86C V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 8A 60V DO-214AB	-	210080	Dettagli
SK86C V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 8A 60V DO-214AB	-	173311	Dettagli
SK86CHM6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	227104	Dettagli
SK86CHR7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB	-	161671	Dettagli