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Panasonic Electronic Components ~ 2SK1374G0L

Numero di parte	2SK1374G0L
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4.5pF @ 5V
Vgs (massimo)	10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 Ohm @ 10mA, 2.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SMini3-F2
Pacchetto / caso	SC-85

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
2SK1058-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P	-	0	Dettagli
2SK1070PICTL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5994	Dettagli
2SK1070PIDTL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5989	Dettagli
2SK1070PIETL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5989	Dettagli
2SK1070PIETR-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5985	Dettagli
2SK11030QL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3		3000	Dettagli
2SK1119(F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB		0	Dettagli
2SK122800L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN		0	Dettagli
2SK1317-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P	-	0	Dettagli
2SK1339-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P	-	0	Dettagli
2SK1340-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P	-	0	Dettagli
2SK1341-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P	-	0	Dettagli