SFT1458-H

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
SFT1458-H P1
SFT1458-H P1
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ON Semiconductor ~ SFT1458-H

Numero di parte
SFT1458-H
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SFT1458-H
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 65pF @ 20V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore IPAK/TP
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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