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| Numero di parte | SFT1450-TL-H |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 10.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TP-FA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SFT11G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | - | 848932 | Dettagli |
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SFT11G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | - | 955048 | Dettagli |
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SFT11G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | - | 861254 | Dettagli |
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SFT11GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | - | 1029065 | Dettagli |
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SFT11GHA1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | - | 1029065 | Dettagli |
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SFT11GHR0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | - | 907915 | Dettagli |
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SFT1202-E | ON Semiconductor | TRANS NPN 150V 2A TP | - | 3000 | Dettagli |
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SFT1202-TL-E | ON Semiconductor | TRANS NPN 150V 2A TP-FA | - | 6300 | Dettagli |
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SFT12G A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 955048 | Dettagli |
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SFT12G A1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 955048 | Dettagli |
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SFT12G R0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 861254 | Dettagli |
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SFT12GHA0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1 | - | 1029065 | Dettagli |