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ON Semiconductor ~ SFT1445-TL-H

Numero di parte	SFT1445-TL-H
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1030pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	111 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TP-FA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
SFT11G A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	848932	Dettagli
SFT11G A1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	955048	Dettagli
SFT11G R0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	861254	Dettagli
SFT11GHA0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	1029065	Dettagli
SFT11GHA1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	1029065	Dettagli
SFT11GHR0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1	-	907915	Dettagli
SFT1202-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 150V 2A TP	-	3000	Dettagli
SFT1202-TL-E	ON Semiconductor	TRANS NPN 150V 2A TP-FA	-	6300	Dettagli
SFT12G A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	955048	Dettagli
SFT12G A1G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	955048	Dettagli
SFT12G R0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	861254	Dettagli
SFT12GHA0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1	-	1029065	Dettagli