NXH80T120L2Q0S2G

PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
NXH80T120L2Q0S2G P1
NXH80T120L2Q0S2G P1
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ON Semiconductor ~ NXH80T120L2Q0S2G

Numero di parte
NXH80T120L2Q0S2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
PIM 1200V 80A TNPC CUSTO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NXH80T120L2Q0S2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte NXH80T120L2Q0S2G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Three Level Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 57A
Potenza - Max 125W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
Corrente - Limite del collettore (max) 300µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 19.4nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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