NVMFS6H824NT1G

T8 80V SO8FL NCH STD GATE
NVMFS6H824NT1G P1
NVMFS6H824NT1G P1
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

ON Semiconductor ~ NVMFS6H824NT1G

Numero di parte
NVMFS6H824NT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
T8 80V SO8FL NCH STD GATE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NVMFS6H824NT1G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte NVMFS6H824NT1G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Ta), 103A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2470pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 115W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN, 5 Leads

prodotti correlati

Tutti i prodotti