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| Numero di parte | NVMFS5113PLT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 64A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 17A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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NVMFS4841NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL | - | 6000 | Dettagli |
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NVMFS4841NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C01NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C01NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C01NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | - | 1500 | Dettagli |
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NVMFS4C01NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C03NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C03NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C03NWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C03NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C05NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL | - | 0 | Dettagli |
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NVMFS4C05NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL | - | 0 | Dettagli |