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| Numero di parte | NVJD5121NT1G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 295mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 26pF @ 20V |
| Potenza - Max | 250mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NVJD4401NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 | - | 0 | Dettagli |
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NVJD5121NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 | - | 0 | Dettagli |