NTTD4401FR2G

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
NTTD4401FR2G P1
NTTD4401FR2G P1
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ON Semiconductor ~ NTTD4401FR2G

Numero di parte
NTTD4401FR2G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTTD4401FR2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTTD4401FR2G
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 16V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Micro8™
Pacchetto / caso 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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