NTS4173PT1G

MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
NTS4173PT1G P1
NTS4173PT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTS4173PT1G

Numero di parte
NTS4173PT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTS4173PT1G
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 15V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 290mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1.2A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-3 (SOT323)
Pacchetto / caso SC-70, SOT-323

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