NTP30N06

MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
NTP30N06 P1
NTP30N06 P1
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ON Semiconductor ~ NTP30N06

Numero di parte
NTP30N06
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTP30N06
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 88.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3

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