NTMS5P02R2SG

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
NTMS5P02R2SG P1
NTMS5P02R2SG P1
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ON Semiconductor ~ NTMS5P02R2SG

Numero di parte
NTMS5P02R2SG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTMS5P02R2SG PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTMS5P02R2SG
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.95A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 16V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 790mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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