NTMFS6H800NT1G

TRENCH 8 80V NFET
NTMFS6H800NT1G P1
NTMFS6H800NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS6H800NT1G

Numero di parte
NTMFS6H800NT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRENCH 8 80V NFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTMFS6H800NT1G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTMFS6H800NT1G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 203A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 330µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5530pF @ 40V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN, 5 Leads

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