NTMD6P02R2SG

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2SG P1
NTMD6P02R2SG P1
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ON Semiconductor ~ NTMD6P02R2SG

Numero di parte
NTMD6P02R2SG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte NTMD6P02R2SG
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 16V
Potenza - Max 750mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC

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