NTLUF4189NZTAG

MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
NTLUF4189NZTAG P1
NTLUF4189NZTAG P1
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ON Semiconductor ~ NTLUF4189NZTAG

Numero di parte
NTLUF4189NZTAG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTLUF4189NZTAG PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTLUF4189NZTAG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 95pF @ 15V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-UDFN (1.6x1.6)
Pacchetto / caso 6-UFDFN Exposed Pad

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