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| Numero di parte | NTLJS4159NT1G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1045pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 2A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NTLJS1102PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS1102PTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS2103PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS2103PTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS3113PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS3180PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS3180PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS3A18PZTWG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS3A18PZTXG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN | - | 0 | Dettagli |
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NTLJS4114NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN | - | 90000 | Dettagli |