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| Numero di parte | NTD60N03T4 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 24V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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NTD60N02R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N02R-035 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N02R-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N02R-35G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N02RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N02RT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N02RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD60N03-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 60A IPAK | 0 | Dettagli | |
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NTD60N03T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 60A DPAK | 0 | Dettagli | |
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NTD6414AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK | - | 0 | Dettagli |
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NTD6414ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK | - | 2500 | Dettagli |
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NTD6415AN-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 23A IPAK | - | 0 | Dettagli |