NTD50N03R

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
NTD50N03R P1
NTD50N03R P1
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ON Semiconductor ~ NTD50N03R

Numero di parte
NTD50N03R
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTD50N03R
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 11.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 12V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 30A, 11.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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