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| Numero di parte | NGTD14T65F2WP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 35A |
| Potenza - Max | - |
| Cambiare energia | - |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | - |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NGTD13R120F2SWK | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | - | 20763 | Dettagli |
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NGTD13R120F2WP | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | - | 22784 | Dettagli |
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NGTD13T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | - | 55385 | Dettagli |
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NGTD13T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | - | 0 | Dettagli |
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NGTD14T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | - | 27717 | Dettagli |
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NGTD14T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | - | 20828 | Dettagli |
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NGTD15R65F2SWK | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 650V DIE | - | 63422 | Dettagli |
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NGTD15R65F2WP | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 650V DIE | - | 28198 | Dettagli |
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NGTD17R120F2SWK | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | - | 10718 | Dettagli |
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NGTD17R120F2WP | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE | - | 25077 | Dettagli |
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NGTD17T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | - | 3585 | Dettagli |
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NGTD17T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | - | 0 | Dettagli |