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| Numero di parte | NDT451N |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NDT014 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4 | - | 12000 | Dettagli |
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NDT014L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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NDT01N60T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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NDT02N40T1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223 | - | 6000 | Dettagli |
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NDT02N60ZT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT02N60ZT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT03N40ZT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT03N40ZT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4 | - | 0 | Dettagli |
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NDT16PFJ-8KIT | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA | - | 22236 | Dettagli |
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NDT16PFJ-9MET | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA | - | 23895 | Dettagli |
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NDT18PFH-8KIT | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA | - | 22236 | Dettagli |
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NDT18PFH-9MET | Insignis Technology Corporation | IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA | - | 23895 | Dettagli |