NDFPD1N150CG

MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
NDFPD1N150CG P1
NDFPD1N150CG P1
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ON Semiconductor ~ NDFPD1N150CG

Numero di parte
NDFPD1N150CG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NDFPD1N150CG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 30V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 Ohm @ 50mA, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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