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Numero di parte | NDD05N50Z-1G |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I-Pak |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |