MTW32N20EG

MOSFET N-CH 200V 32A TO247
MTW32N20EG P1
MTW32N20EG P1
Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.

ON Semiconductor ~ MTW32N20EG

Numero di parte
MTW32N20EG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 32A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- MTW32N20EG PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
  • In stock $ Quantità pz
  • Prezzo di riferimento : submit a request

Invia una richiesta di preventivo su quantità maggiori di quelle visualizzate.

Parametro del prodotto

Tutti i prodotti

Numero di parte MTW32N20EG
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3

prodotti correlati

Tutti i prodotti