MMFT960T1

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
MMFT960T1 P1
MMFT960T1 P1
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ON Semiconductor ~ MMFT960T1

Numero di parte
MMFT960T1
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte MMFT960T1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 65pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA

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