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| Numero di parte | IRF530N_R4942 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF530 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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IRF5305L | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | 0 | Dettagli | |
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IRF5305LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-262 | 0 | Dettagli | |
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IRF5305PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB | 5757 | Dettagli | |
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IRF5305SPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 1924 | Dettagli | |
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IRF5305STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 3200 | Dettagli | |
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IRF5305STRR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF5305STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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IRF530A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 14A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IRF530L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 14A TO-262 | - | 0 | Dettagli |
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IRF530N,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB | 0 | Dettagli | |
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IRF530NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 17A TO-262 | 0 | Dettagli |