FQP2P40-F080

MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
FQP2P40-F080 P1
FQP2P40-F080 P1
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ON Semiconductor ~ FQP2P40-F080

Numero di parte
FQP2P40-F080
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FQP2P40-F080
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Pacchetto / caso TO-220-3

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