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| Numero di parte | FQD4N25TM-WS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FQD4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD4N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD4N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK | - | 5000 | Dettagli |
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FQD4N25TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD4N25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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FQD4N25TM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | - | 322970 | Dettagli |
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FQD4N25TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK | - | 5000 | Dettagli |
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FQD4N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD4N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD4N50TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | 0 | Dettagli | |
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FQD4P25TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | 0 | Dettagli |