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| Numero di parte | FDB8832-F085 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 34A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11400pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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FDB8030L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB8132 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB8132_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FDB8160 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB8160-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 10363 | Dettagli |
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FDB8160_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB8441 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 20800 | Dettagli |
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FDB8441-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 10358 | Dettagli |
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FDB8441_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 1600 | Dettagli |
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FDB8442 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB8442-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | - | 35885 | Dettagli |
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FDB8442_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | - | 0 | Dettagli |