FCPF190N65S3R0L

SUPERFET3 650V TO220F PKG
FCPF190N65S3R0L P1
FCPF190N65S3R0L P1
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ON Semiconductor ~ FCPF190N65S3R0L

Numero di parte
FCPF190N65S3R0L
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
SUPERFET3 650V TO220F PKG
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- FCPF190N65S3R0L PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FCPF190N65S3R0L
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 400V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 144W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F-3
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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