FCH041N65EF-F155

MOSFET N-CH 650V 76A TO247
FCH041N65EF-F155 P1
FCH041N65EF-F155 P1
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ON Semiconductor ~ FCH041N65EF-F155

Numero di parte
FCH041N65EF-F155
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FCH041N65EF-F155
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 298nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12560pF @ 100V
Caratteristica FET Super Junction
Dissipazione di potenza (max) 595W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Long Leads
Pacchetto / caso TO-247-3

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