EFC4627R-TR

MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
EFC4627R-TR P1
EFC4627R-TR P1
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ON Semiconductor ~ EFC4627R-TR

Numero di parte
EFC4627R-TR
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte EFC4627R-TR
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.4W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso 4-XFBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 4-EFCP (1.01x1.01)

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