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| Numero di parte | BSP19AT1G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Potenza - Max | 800mW |
| Frequenza - Transizione | 70MHz |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 60V 1A SOT-223 | - | 2000 | Dettagli |
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BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP 60 E6433 | Infineon Technologies | TRANS PNP DARL 45V 1A SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP030,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | Dettagli | |
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BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | Dettagli |