BS107AG

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
BS107AG P1
BS107AG P1
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ON Semiconductor ~ BS107AG

Numero di parte
BS107AG
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte BS107AG
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4 Ohm @ 250mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3
Pacchetto / caso TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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